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純進口HQ graphene 硒化鉍晶體

簡要描述:純度: 99.995%

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-05-23
  • 訪  問  量:45

產品名稱

中文名稱: 純進口HQ graphene 硒化鉍晶體

英文名稱:HQ graphene Bi2Se3 crystal

產品概述

Bi2Se3是塊體晶體帶隙約0.3 eV的拓撲絕緣體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。Bi2Se3屬于15族過渡后金屬三鹵族。 Bi2Se3晶體具有典型的橫向尺寸為~0.6-0.8 cm,具有金屬外觀。

Bi2Se3 is a topological insulator with a band gap of ~0.3 eV for bulk crystals. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Bi2Se3 belongs to the group-15 post-transition metal trichalcogenides.

The Bi2Se3 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and have a metallic appearance.

技術參數

純度: 99.995%

尺寸:~ 8mm

顏色: 黑灰色

產品特點

Electrical properties:Topological insulator

Crystal structure:Rhombohedral

Unit cell parameters:a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic


Purity:>99.995%


應用領域

Bi?Se?(硒化鉍)是一種三維拓撲絕緣體,具有多種潛在應用,包括但不限于以下領域:

拓撲絕緣體、量子霍爾效應相關研究:其表面存在受拓撲保護的、無能隙的金屬態(tài)導電通道,可用于研究拓撲絕緣體的特性和量子霍爾效應等特殊的電學現(xiàn)象;

鈉離子電池:在鈉離子電池中,基于拓撲絕緣體 Bi?Se?的異質結硒化物可以展現(xiàn)出杰出的儲鈉快充能力。例如超薄的 Bi?Se?納米片具有豐富的電荷快速轉移表面,可作為穿入材料內部的電子平臺,大大降低電荷傳輸阻力,提高整體導電性;兩種硒化物之間豐富的界面能促進 Na?的遷移,并提供額外的活性位點;

熱電材料:Bi?Se?具有一定的熱電性能,可將熱能轉化為電能,在熱電發(fā)電機中具有應用潛力;

電子學和器件:由于其特殊的電子性質,可被用于新型電子器件的開發(fā),如拓撲絕緣體晶體管和拓撲絕緣體自旋電子學器件等,這些器件在量子計算和量子信息處理中有潛在應用;

光電器件:在薄層形式下可以表現(xiàn)出二維電學特性,其晶體和電子結構具有寬帶光吸收、厚度依賴的表面帶隙和偏振敏感光響應等特性,適用于光電子學領域,如可見-紅外探測、太赫茲探測等;

磁電性質相關應用:表現(xiàn)出磁電性質,即在磁場中會產生電壓,或施加電壓時可改變其磁性,這使其在磁電傳感器和記憶設備的開發(fā)方面具有潛在應用;

催化劑:將 Bi?Se?負載于 TiO?上可以得到納米復合材料,既提高 TiO?載流子的有效分離能力,又增強 TiO?對可見光吸收率,對聚丙烯酸丁酯和丁氧基丙酸丁酯展現(xiàn)出優(yōu)異的降解活性和穩(wěn)定性。

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