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純進(jìn)口HQ graphene 硒化鎵晶體

簡要描述:純度: 99.995%

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-05-23
  • 訪  問  量:56

產(chǎn)品名稱

中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硒化鎵晶體

英文名稱:HQ graphene  2H phase Gallium Selenide

產(chǎn)品概述

GaSe (2H相)是一種間接帶隙為~2.1 eV的半導(dǎo)體。GaSe已被用作半導(dǎo)體、光導(dǎo)體、非線性光學(xué)中的二次諧波產(chǎn)生晶體和遠(yuǎn)紅外轉(zhuǎn)換材料。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。GaSe屬于13族過渡后金屬單硫族化合物。硒化鎵的2H相具有典型的橫向尺寸為~0.6 ~ 0.8 cm,具有深銅金屬外觀。 

GaSe (2H phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.1 eV. GaSe has been used as a semiconductor, photoconductor, a second harmonic generation crystal in nonlinear optics and as a far-infrared conversion material. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. GaSe belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.

The 2H phase of Gallium Selenide has a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and has a dark-copper metallic appearance.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:0.6 ~ 0.8 cm

顏色: 棕色

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties:Semiconductor

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°

Type:Synthetic

Purity:>99.995%

應(yīng)用領(lǐng)域

在光電領(lǐng)域:

太陽能電池:硒化鎵晶體具有合適的能帶結(jié)構(gòu)和較高的光吸收系數(shù),可用于制造高效的太陽能電池。例如,在多結(jié)太陽能電池中,硒化鎵可以作為其中的一個子電池,吸收特定波長的太陽光,從而提高整個電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

光電探測器:能夠?qū)μ囟úㄩL的光產(chǎn)生響應(yīng),可用于制造高性能的光電探測器。比如在紅外光電探測器中,硒化鎵晶體可以檢測到紅外光信號,并將其轉(zhuǎn)換為電信號。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域:

半導(dǎo)體器件:可用于制造各種半導(dǎo)體器件,如晶體管、場效應(yīng)管等。例如,在高頻和高速電子器件中,硒化鎵晶體的優(yōu)良電學(xué)性能有助于提高器件的工作頻率和速度。

在光學(xué)領(lǐng)域:

非線性光學(xué)材料:具有非線性光學(xué)特性,可用于制作倍頻器、光調(diào)制器等非線性光學(xué)器件。比如在激光系統(tǒng)中,硒化鎵晶體可以實(shí)現(xiàn)激光頻率的倍頻。

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