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純進(jìn)口HQ graphene 硒化錸晶體

簡(jiǎn)要描述:純度: 99.995%, 尺寸: 約8mm

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-05-23
  • 訪  問  量:58

產(chǎn)品名稱

中文名稱:純進(jìn)口HQ graphene 硒化錸晶體

英文名稱:HQ graphene ReSe2 Crystal

產(chǎn)品概述

ReSe2是一種半導(dǎo)體(~1.1 eV)這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。二硒化錸屬于第七族過渡金屬二硫族化合物(TMDC)。在HQ石墨烯生產(chǎn)的ReSe2晶體具有三角形和金屬外觀。我們制備的n型ReSe2在室溫下具有典型的載流子密度~1016cm-3。

ReSe2 is a semiconductor (~1.1 eV). The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Rhenium Diselenide belongs to the group-VII transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The ReSe2 crystals produced at HQ Graphene have triangular shapes and a metallic appearance. We produce n-type ReSe2, having a typical charge carrier density of ~1016cm-3 at room temperature. 

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:~8 mm

顏色: 黑色


產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties:Semiconductor, n-type

Crystal structure:Triclinic

Unit cell parameters:a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9°

Type:Synthetic


Purity:>99.995%


應(yīng)用領(lǐng)域

在電子學(xué)領(lǐng)域:

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET):硒化銦晶體由于其電學(xué)特性,如高載流子遷移率,可用于制造高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。例如,在柔性電子設(shè)備中,基于硒化銦晶體的 FET 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的信號(hào)傳輸和處理。

存儲(chǔ)器:其電阻可在不同條件下發(fā)生變化,這使得它有望應(yīng)用于非易失性存儲(chǔ)器,如阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。比如,在一些高密度存儲(chǔ)芯片中,硒化銦晶體可以作為存儲(chǔ)單元,實(shí)現(xiàn)快速的數(shù)據(jù)讀寫和長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)保存。

在光電領(lǐng)域:

光電探測(cè)器:對(duì)光具有較好的響應(yīng),可用于制造高性能的光電探測(cè)器。例如,在紅外光探測(cè)中,硒化銦晶體能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),應(yīng)用于安防監(jiān)控系統(tǒng)或通信系統(tǒng)。

太陽(yáng)能電池:作為太陽(yáng)能電池的吸收層材料,能夠有效地吸收太陽(yáng)光并轉(zhuǎn)化為電能。比如,在新型薄膜太陽(yáng)能電池中,硒化銦晶體可以提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

在傳感器領(lǐng)域:

氣體傳感器:對(duì)某些特定氣體具有敏感性,可用于制造氣體傳感器來(lái)檢測(cè)環(huán)境中的有害氣體。例如,檢測(cè)一氧化碳、氨氣等氣體的濃度變化。

在納米技術(shù)領(lǐng)域:

納米器件:由于其在納米尺度下的特殊性質(zhì),可用于構(gòu)建納米級(jí)別的電子和光電子器件。比如,利用硒化銦晶體制造納米級(jí)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,實(shí)現(xiàn)更小尺寸和更高性能的納米電路。

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